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非線性光學(xué)晶體材料發(fā)展趨勢(shì)

 從整個(gè)非線性光學(xué)晶體材料、器件及整體設(shè)備來(lái)說(shuō),美國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家是產(chǎn)業(yè)鏈大國(guó),在大規(guī)模生產(chǎn)的非線性光學(xué)晶體如LiNbO3占據(jù)壟斷地位。小規(guī)模的材料品種如KTP、BBO、LBO等,主要是中國(guó)、立陶宛等占具優(yōu)勢(shì)地位。接下來(lái)我們看看光寶光電給大家介紹的關(guān)于非線性光學(xué)晶體材料的幾個(gè)發(fā)展階段的取趨勢(shì)

  1、紫外向更短波段的發(fā)展

  發(fā)展全固深紫外(200nm)相關(guān)光源,是現(xiàn)在國(guó)際光電子行業(yè)最前沿的研究項(xiàng)目之一,這是因?yàn)樽贤饧す庠诤芏喔呒夹g(shù)行業(yè)發(fā)揮十分重要的應(yīng)用,如新一代的集成電路光刻工藝需要全固的紫外相關(guān)光源;

  光電子能譜、光譜技術(shù)中,急切需要可調(diào)諧的全固深紫外相關(guān)光源,這對(duì)推動(dòng)深紫外光譜、能譜儀的發(fā)展將發(fā)揮關(guān)鍵性的作用,并將開辟一個(gè)新的物質(zhì)科學(xué)研究行業(yè);

非線性光學(xué)晶體材料發(fā)展趨勢(shì)
非線性光學(xué)晶體材料發(fā)展趨勢(shì)

  深紫外相關(guān)光源還將極大地推動(dòng)激光精密機(jī)械加工業(yè)的發(fā)展。由于現(xiàn)在還沒(méi)有直接輸出深紫外波長(zhǎng)的激光晶體問(wèn)世,解決固態(tài)深紫外激光光源的關(guān)鍵問(wèn)題集中在紫外波段的NLO變頻晶體的研制和應(yīng)用開發(fā),其帶動(dòng)相關(guān)工業(yè)發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步的前景是十分誘人的。

  2、現(xiàn)有非線性光學(xué)晶體性能的改進(jìn)以及新晶體的開發(fā)

  一個(gè)最典型的例子是化學(xué)計(jì)量比的LiNbO3(簡(jiǎn)稱SLN),由于結(jié)構(gòu)完整性提高,SLN較普通的一致熔融鈮酸鋰(簡(jiǎn)稱CLN)性能上有質(zhì)的飛越,若解決了的實(shí)用化技術(shù),將會(huì)在光電子、光通信等行業(yè)產(chǎn)生革命性的變革。

  BBO是首先用來(lái)將Nd:YAG輸出的1064nm激光四倍頻獲得266nm紫外光的非線性光學(xué)晶體。在該頻率轉(zhuǎn)換行業(yè)已應(yīng)用了幾十年。但該晶體在輸出266nm激光的功率超過(guò)180毫瓦時(shí),便會(huì)產(chǎn)生光折變損傷而被打壞。

  新近研制成熟的CLBO晶體,不但晶體生長(zhǎng)比BBO容易、長(zhǎng)出的單晶比BBO大,而且在266nm輸出達(dá)40瓦時(shí),也未被打壞。在此行業(yè),CLBO有替代BBO的趨勢(shì)。

  3、非線性光學(xué)晶體的周期性極化準(zhǔn)相位匹配技術(shù)(QPM)

  我國(guó)在周期及準(zhǔn)周期極化相位匹配的研究方面處于國(guó)際領(lǐng)先水平。由于這類準(zhǔn)相位匹配器件可以充分發(fā)揮晶體的非線性光學(xué)性能,而且一塊晶體可以同時(shí)完成倍頻、和頻、參量振蕩等功能。

  所以這類技術(shù)在光通信、激光顯示、空氣污染檢測(cè)、醫(yī)藥以及國(guó)防等方面都有重要的應(yīng)用,QPM材料及器件正顯示其極強(qiáng)的生命力。現(xiàn)在比較重要的有PPLN、PPKTP及PPRTA等(“PP”也為“準(zhǔn)相位匹配”表示法之一)。

  4、紅外波段的非線性光學(xué)晶體

  相對(duì)于可見和紫外波段的非線性晶體,紅外波段的非線性晶體發(fā)展比較慢,主要原因是現(xiàn)有的紅外非線性晶體的光損傷閾值太低,直接影響了實(shí)際使用。由于紅外非線性光學(xué)晶體在軍事上有重要應(yīng)用前景,這一類晶體材料成為非線性光學(xué)領(lǐng)域的一個(gè)重點(diǎn)發(fā)展方向。

  5、新型的光折變晶體材料

  現(xiàn)有的光折變材料如LiNbO3、BaTiO3等在進(jìn)行光學(xué)信息存儲(chǔ)應(yīng)用時(shí),其光折變響應(yīng)速度還不夠快、存儲(chǔ)噪聲還比較大,這兩方面的性能還不能與目前廣泛應(yīng)用的電磁存儲(chǔ)技術(shù)相比。故必須尋找新型的、性能更好的光折變晶體材料或進(jìn)一步對(duì)現(xiàn)有的光折變材料改性提高。

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