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BaGa2GeSe6

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BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>” class=”wp-image-4124″/></div><div   id=

BaGa2GeSe6(硒鍺鎵鋇)簡稱BGGSe晶體,為三方晶系R3空間群,其具有高的激光損傷閥值、寬的透過范圍(0.5~18μm)、適中的雙折射(0.08~0.11)、大的非線性系數(shù)(d11=23.6pm/V)、化學性質穩(wěn)定、不需要退火等繁瑣后處理以及其表面化學穩(wěn)定性高、不需要后生長處理、晶體對稱性高、易于加工。能使用Nd:YAG激光抽運,在CO和CO2激光倍頻、光學參量振蕩產(chǎn)生中遠紅外激光等紅外激光變頻方面具有重要的應用潛力。由于BGGSe晶體的低色散性質和高損傷閥值,其在超寬混頻和超短脈沖輸出方面具有優(yōu)勢。

特點

  • 倍頻系數(shù)是AgGaS2的6倍
  • 不溶于稀酸,化學穩(wěn)定性好
  • 非線性光學效應大
  • 遠紅外范圍內(nèi)透過率高、雙折射大
  • 激光損傷閾值高
  • 透光范圍寬
  • 不需要退火等繁瑣后處理
  • 晶體對稱性高,易于加工
  • 2.5-9μm范圍內(nèi)效率高于ZGP和AgGaSe2晶體

物化性質

晶系三方晶系,空間群為R3
非線性系數(shù)d11=66pm/V
損傷閾值110MW/cm2
晶胞系數(shù)a=9.5967(5)?,b=9.5967(5)?,c=8.6712(7)?,α=β=90°,γ=120°,Z=1
透光范圍0.5 -18μm
雙折射0.08-0.11
熔點880℃

加工參數(shù)

定向精度<+-0.1°
表面光潔度20/10?per?MIL-O-13830A?
面型λ/8@632.8nm?for?T>=1mm
通光面公差+0/-0.1mm
長度公差±0.1mm
平行度30″
垂直度10′
倒邊<0.2mm×45°

光譜

非線性晶體BaGa2GeSe6透過率-南京光寶-CRYLINK
BGGSe單晶透過率曲線

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