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Ti:sapphire+sapphire

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Ti:sapphire+sapphire

我司Ti:sapphire+sapphire鍵合晶體，是在Ti:sapphire一端鍵合Sapphire形成的鍵合晶體，可以有效的改善Ti:sapphire激光的綜合性能。

Sapphire晶體的熱導(dǎo)率為25.12W/m/k (@ 100℃)，鍵合形成Ti:sapphire+sapphire鍵合晶體，可以有效改善Ti:sapphire晶體的熱效應(yīng)，降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)，卓越的輸出效率，窄鎖模寬度，高損傷閾值，優(yōu)良的導(dǎo)熱性以及改善激光的光束質(zhì)量，提升800nm激光輸出效率，并能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命。

芯飛睿使用表面活化鍵合技術(shù)，是一種低溫或者常溫下的鍵合技術(shù)，典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前，通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊，可以有效的增加鍵合強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)對無機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體材料間的高質(zhì)量鍵合。與高溫?zé)徭I合方法相比，表面活化鍵合技術(shù)鍵合結(jié)合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優(yōu)，而熱擴(kuò)散鍵合表面的雜質(zhì)去不掉，被鍵合在結(jié)合面。表面活化鍵合技術(shù)有去除各種拋光的殘留成分、去除有機(jī)污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學(xué)鍵，提升活化能等優(yōu)點(diǎn)。

生產(chǎn)的Ti:sapphire+sapphire鍵合晶體的鍵合強(qiáng)度高、鍵合面吸收損耗小（一般小于20ppm）、鍵合面面形變化小（鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導(dǎo)或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜，如兩個(gè)端面增透膜AR@600-800nm&532nm等。Ti:sapphire+sapphire鍵合晶體廣泛應(yīng)用于波長可調(diào)諧激光器中。

特點(diǎn)：

  • 可以有效改善Ti:sapphire晶體的熱效應(yīng)
  • 降低激光泵浦時(shí)形成的熱透鏡效應(yīng)
  • 卓越的輸出效率，窄鎖模寬度，高損傷閾值
  • 優(yōu)良的導(dǎo)熱性以及改善激光的光束質(zhì)量
  • 提升800nm激光輸出效率
  • 能提升激光器的輸出能力穩(wěn)定性，提升激光器的使用壽命

Ti:sapphire+sapphire

Ti:sapphire+Sapphire
MaterialsTi:sapphiresapphire
Absorption coefficient0.6~6.5cm-1/
StructureRods/Slabs/Sandwich/Waveguide/
End-face ConfigurationFlat/Convex/Wedge
Side ConfigurationPolish/Fine Ground
Coating availableAR@600-800nm&532nmAR@600-800nm&532nm
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